半导体
厂务系统
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半导体应用要点
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退火氧化工艺通过高温下硅与氧气（O₂）或水蒸气（H₂O）反应生成二氧化硅（SiO₂）层，用于栅极介质或隔离层；退火工艺则通过加热（如快速热退火RTA）修复晶格损伤、激活掺杂原子或优化薄膜性能。
氧化退火工艺关键设备是立式炉管（Vertical Furnace）和快速热处理设备（RTP），每台设备配备4-6个工作单元（PM），每个PM包含1个冷却器、1个泵和1个气体箱。处理过程中常用氮气（N₂）、氢气（H₂）或惰性气体（Ar）控制反应环境。
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危害1 -
危害
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CVD沉积化学气相沉积（CVD）是半导体制造中的关键工艺，通过气相化学反应在晶圆表面沉积薄膜（如SiO₂、Si₃N₄或多晶硅）。
核心步骤包括：反应气体（如SiH₄、NH₃）导入腔体，在高温或等离子体激发下分解，最终形成致密、均匀的薄膜。应用于栅极介质、金属互连层和钝化层的制备。
根据工艺需求可分为LPCVD（低压）、PECVD（等离子体增强）和ALD（原子层沉积）等类型。
每台设备配备4-6个工作单元（PM），每个PM的气体系统使用 4-15 种气体和传感器。
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危害
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光刻光刻是将电路图形从掩模版（Reticle）精确转移到晶圆表面的光刻胶上，可达纳米级，是半导体制造中最精密的环节。
工艺关键设备包括DUV光刻机、EUV光刻机和涂胶显影一体机等。
工艺流程主要是基板预处理-涂胶-软烘-曝光-显影-硬烘-检测与量测，其中需要监测气体和液体的压力和流量。
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危害
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刻蚀刻蚀是通过物理或化学方法选择性去除未被光刻胶保护的材质，实现图形从光刻胶到衬底的精确转移，形成电路的工艺。
干法刻蚀设备利用多种气体（例如 HBr、Cl2、SF6 等）刻蚀晶圆。
每台刻蚀设备配备 3-6个等离子体增强型刻蚀单元（PM），每个PM配备约 18 条气体管路和压力传感器。
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离子注入离子注入通过高能离子束轰击晶圆表面，将掺杂原子（如B、P、As）注入硅晶格中，形成PN结或调整阈值电压，改变器件电学性能。
离子源使用 B2H6、BCl3、BBr3、PCl3、AsCl3 等气体产生离子束。
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PVD镀膜PVD通过物理方法（如溅射、蒸发）将固态靶材转化为气相并沉积在晶圆表面，形成金属或介质薄膜（如Al、Cu、TiN），用于互连、电极或扩散阻挡层，是半导体制造中金属化的关键工艺。
不同的工艺使用不同的气体，但PVD使用的气体和传感器数量较少。
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CMP抛光CMP通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现晶圆表面全局平坦化。
CMP设备通过控制 CDA 压力来控制抛光头的下压力，使用 HF、N2 和去离子水来清洁和干燥晶圆。
CMP 后需要进行清洗，根据清洗要求，会使用不同的清洗液和方法。
整个过程会监测气体和液体的压力和流量。
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清洗清洗是去除晶圆表面的颗粒、有机物、金属污染及氧化层，确保后续工艺的界面质量，是污染控制的关键环节。
清洗设备使用超纯水、酸和气体等化学物质清洗晶圆。
设备中的化学模块监测并控制化学物质、水和气体的流量和压力。
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GC特气柜特气柜（Gas Cabinet）是半导体制造中用于安全存储和分配高纯度特种气体（如腐蚀性、毒性或易燃气体）的关键设备，确保工艺气体稳定供应并防止泄漏风险，直接关系到生产安全与工艺稳定性。
气体从气体柜 (GC) 经由设施气体管线和阀门分配至设备。
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VMB/VMP阀门分配箱（VMB, Valve Manifold Box）和气体控制面板（VMP, Valve Manifold Panel）是半导体特气系统的核心组件，用于安全分配、切换和调控工艺气体，确保高纯度气体精准输送至机台（如刻蚀、CVD设备），同时通过多重安全设计防止泄漏和交叉污染。
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CDS供液系统导体厂务系统的供液系统（Chemical Distribution System, CDS）是确保工艺液体（如超纯水、化学品、研磨液等）高纯度、稳定供应的关键基础设施。
